امروز: پنج شنبه, ۲۹ مهر ۱۴۰۰ / بعد از ظهر / | برابر با: الخميس 15 ربيع أول 1443 | 2021-10-21
کد خبر: 7280 |
تاریخ انتشار : ۲۹ مهر ۱۴۰۰ - ۲۱:۰۶ |
۰
| می پسندم
ارسال به دوستان
پ

شرکت سامسونگ از عرضه نسل سوم حافظه‌ های رم اچ بی ام خود با ظرفیت ۱۶ گیگابایت موسوم به فلش بلت خبر داده است.

به گزارش کرج رسا، سرعت انتقال داده‌ها از طریق این حافظه‌ های رم ۱۶ گیگابایتی برابر با ۳.۲ گیگابیت در ثانیه است.

استفاده از رم‌ های اچ بی ام باعث ارتقای عملکرد حافظه رایانه‌ ها شده و به شرکت‌ های سازنده رایانه کمک می‌کند تا ابررایانه‌ های قدرتمندتری بسازند. افزایش سرعت تحلیل داده‌ ها در برنامه‌ های هوش مصنوعی و بهتر کردن سرعت برنامه‌ های گرافیکی و تدوین ویدئو از جمله مزایای استفاده از رم‌ های مذکور است.

 

 

در رم‌ های یادشده از ۸ لایه دی رم ۱۰ نانومتری برای افزایش سرعت استفاده شده است و از همین رو عملکرد حافظه مذکور در مقایسه با بهترین رم‌ های موجود در بازار ۱.۳ برابر بهتر است. البته در محیط‌ های آزمایشگاهی سرعت انتقال داده با استفاده از این رم به ۴.۲ گیگابیت در ثانیه نیز رسیده است. اما هنوز در عمل چنین رمی وارد بازار نشده است.

قرار است تولید انبوه فلش بلت برای عرضه در بازار از نیمه اول سال جاری میلادی آغاز شود. قیمت این محصول هنوز مشخص نشده است.

لینک کوتاه خبر:

لطفا از نوشتن با حروف لاتین (فینگلیش) خودداری نمایید.

از ارسال دیدگاه های نامرتبط با متن خبر،تکرار نظر دیگران،توهین به سایر کاربران و ارسال متن های طولانی خودداری نمایید.

لطفا نظرات بدون بی احترامی ، افترا و توهین به مسٔولان، اقلیت ها، قومیت ها و ... باشد و به طور کلی مغایرتی با اصول اخلاقی و قوانین کشور نداشته باشد.

در غیر این صورت مطلب مورد نظر را رد یا بنا به تشخیص خود با ممیزی منتشر خواهد کرد.

نظرات و تجربیات شما

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.

نظرتان را بیان کنید

Scroll to Top